Intel, VLSI 2026 etkinliğinde yeni nesil üretim teknolojisi 18A-P hakkında kapsamlı bilgiler paylaştı. Şirketin dökümhane faaliyetlerinde önemli rol oynaması beklenen süreç, mevcut 18A teknolojisinin üzerine inşa edilirken performans, güç verimliliği ve termal özelliklerde çeşitli iyileştirmeler getiriyor.
18A’ya göre yüzde 9 daha hızlı
Intel’e göre 18A-P, aynı güç tüketiminde yüzde 9 daha yüksek performans veya aynı performans seviyesinde yüzde 18 daha düşük güç tüketimi sunabiliyor. Şirket, bu kazanımların standart ARM çekirdeği alt blokları üzerinde yapılan ölçümlere dayandığını belirtiyor. Yeni sürecin en dikkat çekici yeniliği ise “Power Boost” adı verilen teknoloji oldu.
Intel, bunu sektörün ilk çift temaslı (dual-contact) transistör mimarisi olarak tanımlıyor. PowerVia arka yüz güç dağıtım sistemi sayesinde hem NMOS hem de PMOS transistörlerde kullanılabilen bu yapı, aynı yonga alanında daha yüksek sürücü akımı ve daha yüksek çalışma frekanslarına ulaşılmasına imkan tanıyor.
Çift temaslı transistör teknolojisi
18A-P, Intel’in Gate-All-Around (GAA) transistör mimarisini ve PowerVia arka yüz güç dağıtım altyapısını kullanmaya devam ediyor. Ayrıca mevcut 18A tasarımlarıyla tamamen uyumlu olması sayesinde geliştiriciler mevcut IP bloklarını ve tasarım akışlarını yeniden kullanabilecek. Şirket, yeni süreçte termal performansın da iyileştirildiğini belirtiyor. Malzeme ve tasarım tarafındaki yenilikler sayesinde termal dirençte yüzde 20 ila yüzde 40 arasında gelişme sağlanırken, katmanlar arası bağlantılarda kullanılan via yapılarının direncinde de yüzde 10 ila yüzde 30 oranında düşüş elde edilmiş durumda.
Ayrıca Intel, PMOS transistörlerde uygulanan gerilim mühendisliği sayesinde taşıyıcı hareketliliğini artırdığını ve yeni düşük güç tüketimli ile yüksek performanslı transistör seçenekleri sunduğunu açıkladı. Tasarımcılar için ULVT ve LVT seçenekleri arasına yeni bir mantıksal eşik voltaj (Vt) seviyesi de eklenmiş durumda.
18A-P’nin bir diğer önemli avantajı ise PowerVia teknolojisinin sağladığı alan tasarrufu. Güç dağıtımının yonganın arka yüzüne taşınması sayesinde ön taraftaki bağlantı yoğunluğu azaltılıyor. Intel, bu yaklaşımın yüzde 11’e kadar alan tasarrufu sağlayabildiğini ve daha kısa bağlantılar sayesinde verimliliği artırdığını söylüyor.
Şirket aynı etkinlikte 300 mm GaN tabanlı güç yönetimi çözümleri, 45 nm kapı aralığına sahip CFET yapıları ve hava boşluklu rutenyum bağlantılar gibi geleceğe yönelik araştırmalarını da sergiledi. Öte yandan Intel, Computex 2026 kapsamında tanıttığı yeni nesil Xeon işlemcileri olan Intel Xeon Diamond Rapids ailesinin de 18A-P sürecinde üretileceğini doğrulamıştı.
Intel 18A-P’nin öne çıkan yenilikleri
- Aynı güç tüketiminde %9 daha yüksek performans
- Aynı performansta %18 daha düşük güç tüketimi
- Yeni Power Boost çift temaslı transistör mimarisi
- Gate-All-Around (GAA) transistör tasarımı
- PowerVia arka yüz güç dağıtım sistemi
- %20-40 iyileştirilmiş termal direnç
- %10-30 daha düşük via direnci
- Mevcut Intel 18A tasarımlarıyla tam uyumluluk
- Yeni düşük güç ve yüksek performanslı transistör seçenekleri
- %11’e kadar yonga alanı tasarrufu
- 160 nm ve 180 nm hücre yüksekliği seçenekleri
- Risk üretim aşamasına geçmiş durumda
- İlk ticari kullanıcılardan biri Intel Xeon Diamond Rapids olacak. – Kaynak: donanimhaber.com
